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在反復(fù)的過程中,晶粒細(xì)化的一般過程為:首先,晶粒被粉碎成一系列具有小角度界面的亞晶,亞晶沿著一定方向拉長形成帶狀組織,亞晶帶寬度一般為幾微米或亞微米;然后,亞晶被繼續(xù)破壞,開始出現(xiàn)部分具有大角度界面的等軸晶組織;后,亞晶帶消失,顯微組織主要為具有大角度晶界的等軸晶組織。 鋁卷廠家談等通道轉(zhuǎn)角對對顯微組織的作用等通道轉(zhuǎn)角對于純金屬、合金、金屬間化合物等具有顯著的晶粒細(xì)化效果,可以0.2一0.3um尺寸的超細(xì)等軸晶組織。研究各工藝路線對晶粒細(xì)化的作用應(yīng)綜合考慮剪切面、晶體結(jié)構(gòu)和變形織構(gòu)間相互作用,因?yàn)橄噜彽来伍g剪切面的夾角今隨著工藝路線的不同而變化。 以純鋁為例,路徑Bc比A、C路徑更容易等到等軸晶粒,而路徑A比Bc和A路徑更容易的到大角度晶界,而細(xì)化晶粒的效果是路徑Bc哪。對于密排六方結(jié)構(gòu)的鎂和鎂合金,由于其主滑移發(fā)生在(000晶面,而在1120晶向是鎂的易滑移方向,所以對于鎂合金,為快的晶粒細(xì)化效果,應(yīng)采用路徑Bc。 例如,透射電鏡可觀察到等通道轉(zhuǎn)角Al一Cu一0.SZr等軸晶組織的擴(kuò)展厚度消失形貌,而該形貌在退火后消失;這種擴(kuò)展與晶界處存在大量的彈性應(yīng)變和晶體點(diǎn)陣的扭轉(zhuǎn)有關(guān),且測定了ECAP純Cu的晶界附近的彈性應(yīng)變,結(jié)果表明這。
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致密層晶粒較細(xì)小,硬度高,絕緣電阻大,其成分基本不受電解液溶液影響,增長速度隨時間延長;疏松層晶粒較,存在許多孔洞,孔洞周圍又有許多微裂紋向內(nèi)擴(kuò)展,成分受電解液組分影響較大,厚度隨時間延長呈線性增加。 鋁微弧氧化膜層的主體由致密層組成,約占總厚度的70%,其結(jié)構(gòu)包括a-A1203和y-A1203,隨著制備工藝的不同,涂層中還可能出現(xiàn)其它外來氧化物。微弧氧化常用的電解液分為酸性電解液和堿性電解液兩類。酸性電解液為濃或和其鹽類溶液,有時還需加入一定的添加劑,對環(huán)境存在一定的污染,目前很少采用。 雖然該的成膜機(jī)理還不十分清楚,但膜層的組成、結(jié)構(gòu)和顏色等性能均可通過改變?nèi)芤撼煞旨右?,而且該成膜速度快、對電源設(shè)備的要求不苛刻,因此,該在鋁合金防護(hù)裝飾性及功能性應(yīng)用方面將有著廣闊的前景。 堿性電解液中,陽極反應(yīng)生成的金屬離子很容易轉(zhuǎn)變成帶負(fù)電的膠體粒子而進(jìn)入膜層,和改變膜層的微觀結(jié)構(gòu)而新的特性,所以電解液由初期的酸性發(fā)展為現(xiàn)在廣泛采用的堿性。本嚴(yán)格遵循相關(guān)法律法規(guī)規(guī)定,絡(luò),如有請告知。
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