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以下是:太原晉源鋁板快速下單的圖文介紹當再轉入下一陽極過程時，第二相CuA12就較少溶解或不被濟解，而氧化膜則繼續(xù)增厚。這樣就可以析氧量和鋁合金中銅組分的溶解量，陽極效率和允許使用的電流密度上限，使膜層快速成長且不會過熱。本嚴格遵循相關法律法規(guī)規(guī)定，絡，如有請告知。 采用控制電位法對合金鋁卷進行陽極氧化，電解液組成為表2.2中所列系列。在30s內將氧化電壓從ov線性變化到設置電壓并保持試驗結束。圖2.2,2.3分別示出了氧化過程中典型的槽壓、電流密度隨時間的變化曲線。根據(jù)氧化電流密度隨時問的變化曲線可大致將成膜過程分為三個階段。 階段:電流隨電壓迅速增加階段，此時鋁表而迅速生成一層淺灰色膜層，該膜致密而均勻，具有很高的電阻。該階段可認為是合金鋁卷初始成膜階段，所經(jīng)歷時間約為30s;第段陽極氧化電流密度由峰優(yōu)迅速下降.膜的顏色由淺變深，厚度迅速增加階段。 此階段可認為是氧化膜的快速形成期，所經(jīng)歷時間約為5min;第蘭階段，電流密度隨時間下降階段，此階段氧化膜增加速度，生長與溶解接衡，成膜過程基本結束，電流密度終達到1一2A/d㎡。本嚴格遵循相關法律法規(guī)規(guī)定，絡，如有請告知。
另一方面，位錯運動主要是在強度較低的鋁基體相中進行，分布于鋁基體相上的高強度的第二相粒子則是位錯運動的主要物。因此，位錯運動過程中遇到第二相粒子時，或者借助Orowan機制繞過這些第二相粒子，或者直接切割過這些第二相粒子，其結果是導致滑移面上發(fā)生局部強化，使位錯的進一步滑移困難。 綜上所述，位錯之間、位錯與第二相之問以及位錯與晶界或亞晶界之間的交互作用均會對位錯運動產生強烈的阻礙作用，這就使得在疲勞變形過程中，必須增大外加載荷才能維持應變恒定，導致循環(huán)應力增加，即發(fā)生循環(huán)應化。 外加總應變幅越大，使合金發(fā)生疲勞變形所需要的應力也越大，能夠發(fā)生塑性變形的晶粒數(shù)目越多，同時每個晶粒中可以開動的滑移系數(shù)目也增多，因此位錯增殖的速率和位錯之間以及位錯與析出相粒子之間發(fā)生交互作用的幾率也隨之增大，顯然，循環(huán)應化也易于發(fā)生。 在位錯不斷增殖的同時，也可以發(fā)生位錯的湮沒，這實際上相當于發(fā)生一種位錯回復過程，它可以通過異 位錯在運動過程中彼此相遇并相互抵消而實現(xiàn)，其結果是導致疲勞變形過程中位錯滑移阻力下降，從而使得位錯滑移所需外加應力降低，即產生所謂的軟化效應。
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